RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
60
Autour de -88% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2399
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link