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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2136
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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