RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.9
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2136
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link