RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
42
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3690
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link