RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
42
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3690
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link