RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
42
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3207
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link