RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3207
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link