RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3859
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link