RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3859
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link