RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3859
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link