RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около 21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.7
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3859
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link