RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около 21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.7
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3859
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link