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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
12.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
28
读取速度,GB/s
17.7
19.1
写入速度,GB/s
12.7
16.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3075
3859
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM的比较
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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