Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    37 left arrow 49
    Wokół strony 24% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 10.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 49
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 10.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 8.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 2504
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania