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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
49
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2504
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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