RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 49
    周辺 24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 10.7
    テスト平均値
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 10.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2504

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
メモリRAM