RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link