RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link