RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3614
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link