RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3614
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link