RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3167
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link