RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3167
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link