RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2910
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link