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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
2298
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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