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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Pontuação geral
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2753
2298
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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