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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2981
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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