RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3389
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston KF556C40-16 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link