RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
65
Intorno -132% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
28
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3389
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link