RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
1844
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link