RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.4
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
1844
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link