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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2987
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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