RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2102
3318
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link