RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2102
3318
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link