RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2102
3318
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link