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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2204
2389
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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