Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Unterschiede

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 40
    Rund um -8% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 13.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.9 left arrow 9.7
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    40 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.1 left arrow 13.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 9.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2204 left arrow 2389
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche