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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2204
2389
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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