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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
40
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
37
Velocità di lettura, GB/s
13.1
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2204
2389
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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