RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB против Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.7
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2204
2389
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link