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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
74
Autour de 43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
74
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
1825
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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