RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2790
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link