RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2790
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link