RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
42
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
19
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3397
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link