RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3397
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link