Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Note globale
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Note globale
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 33
    Autour de 21% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.6 left arrow 16.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.0 left arrow 10.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 21300
    Autour de 1.2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 33
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.5 left arrow 17.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.1 left arrow 12.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3025 left arrow 2910
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons