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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
77
Autour de -133% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3131
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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