RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2124
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link