RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
10.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2124
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link