Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 17.1

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 50

Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.5 1,905.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 28
Скорость чтения, Гб/сек

5,143.3 17.1
Скорость записи, Гб/сек

1,905.1 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 3082

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

модули RAM