RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
68
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
68
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1812
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link