RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2386
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link